文章摘要:采用印刷-烧结工艺在GH783合金表面制备微晶玻璃绝缘层和铂浆厚膜电阻层，制备GH783合金厚膜发热电路。通过SEM观察铂浆厚膜电阻层的表面与截面形貌，并测定厚膜电阻层的电阻，研究烧结温度和保温时间对电阻层微观形貌和电阻的影响，得到最佳的烧结工艺参数。测定GH783合金厚膜发热电路的电阻温度系数和升温速率。结果表明，铂浆厚膜电阻层的最佳烧结工艺参数为：烧结温度为850 ℃，保温时间为5 min。所得GH783合金基板厚膜发热元件的电阻温度系数精度为0.24%，从室温升温至350 ℃用时为4.86 s，表现出优良的发热性能。本研究结果为金属基发热元件的制备提供了设计思路和实验案例。

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