文章摘要:以Al₂O₃和ZrO₂作为复合烧结助剂,在1800℃、30 MPa的条件下,采用放电等离子烧结（SPS）技术制备高致密的SiC陶瓷。研究碳化硅晶须（SiCw）的不同添加量对SiC陶瓷微观结构、相组成和力学性能的影响。研究结果表明,样品主要包含β-SiC、t-ZrO₂、m-ZrO₂三种晶相。SiCw的添加会阻碍SiC晶粒的生长,适量的SiCw的添加,可显著提高样品的综合力学性能,当SiCw含量为20 wt.%时,样品的断裂韧性和抗弯强度分别达到5.35 MPa·m^1/2和650 MPa。裂纹扩展路径表明,样品存在由SiCw和ZrO₂协同作用引起的裂纹偏转和裂纹桥接等增韧机制,因而其强度和韧性获得了提高。

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论文作者:熊顺进 黄荣厦 刘荣正 杜祖超 吴建波 冯津 

论文DOI:10.13957/j.cnki.tcxb.2021.05.014

论文分类号:TQ174.758.12